BSC118N10NS G 全國供應商、價格、PDF資料
BSC118N10NS G詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
- 系列：OptiMOS™
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：71A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11.8 毫歐 @ 50A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 70µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3700pF @ 50V
- 功率_最大：114W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-PowerTDFN
- 供應商設備封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）
- 包裝：帶卷 (TR)
- 薄膜 AVX Corporation 徑向 CAP FILM 0.47UF 63VDC RADIAL
- 電容器 EPCOS Inc 1000UF 25V 16X30 AXIAL
- 電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SOLDER PIN 560UF 420V
- 單二極管/整流器 Fairchild Semiconductor DO-204AH，DO-35，軸向 DIODE GEN PURP 120V 200MA DO-35
- 芯片電阻 - 表面安裝 TE Connectivity 0402（1005 公制） RES 10.7K OHM 1/16W 0.1% 0402
- 矩形 CW Industries 0402（1005 公制） IDC CABLE - CKC20G/AE20G/CCE20G
- FET - 單 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
- 薄膜 AVX Corporation 徑向 CAP FILM 0.56UF 63VDC RADIAL
- 單二極管/整流器 Fairchild Semiconductor DO-204AH，DO-35，軸向 DIODE GEN PURP 120V 200MA DO-35
- 電容器 EPCOS Inc 1200UF 40V 20X29 AXIAL
- 芯片電阻 - 表面安裝 TE Connectivity 0603（1608 公制） RES 4.75K OHM 1/16W 0.1% 0603
- 矩形 CW Industries 0603（1608 公制） IDC CABLE - CKC40G/AE40M/CCE40G
- 薄膜 AVX Corporation 徑向 CAP FILM 0.56UF 63VDC RADIAL
- 電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SOLDER PIN 680UF 400V
- FET - 單 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
0755-88291559 
18026926850/0 
